三极管的诞生无疑加剧了人类的科技进步：手机，电脑，平板……

在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。
广义上，三极管有多种，常见如下图所示。

狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。

本文所述的是狭义三极管，它有很多别称:

三极管核心结构

核心是“PN”结

是两个背对背的PN结

可以是NPN组合，也或以是PNP组合

由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！

NPN型三极管结构示意图

硅NPN型三极管的制造流程

管芯结构切面图

工艺结构特点：

发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小;

基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低;

集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。

三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！

工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。

三极管电路符号

三极管电流控制原理示意图


三极管基本电路

外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。

集/基/射电流关系：

IE = IB + IC

IC = β * IB

如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0

三极管特性曲线

输入特性曲线

集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。

UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；

UBE<UBER时，三极管高绝缘，UBE>UBER时，三极管才会启动；

UCE增大，特性曲线右移，但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。

输出特性曲线

基极电流IB一定时，集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线，是一组曲线。

当IB=0时, IC→0 ,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开;

当IB>0时, IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来;

当IB很大时，IC变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。

三极管核心功能：

放大功能：小电流微量变化，在大电流上放大表现出来。

开关功能：以小电流控制大电流的通断。

三极管的放大功能

IC = β * IB （其中β≈ 10~400 ）

例：当基极通电流IB=50μA时,集极电流:

IC=βIB=120*50μA=6000μA

微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号，如下图所示：

所以，三极管放大的是信号波幅，三极管并不能放大系统的能量。

能放大多少？

哪要看三极管的放大倍数β值了！

首先β由三极管的材料和工艺结构决定：

如硅三极管β值常用范围为：30~200

锗三极管β值常用范围为：30~100

β值越大，漏电流越大，β值过大的三极管性能不稳定。

其次β会受信号频率和电流大小影响：

信号频率在某一范围内，β值接近一常数，当频率越过某一数值后，β值会明显减少。

β值随集电极电流IC的变化而变化，IC为mA级别时β值较小。一般地，小功率管的放大倍数比大功率管的大。

三极管的选用原则

考虑三极管的性能极限，按“2/3”安全原则选择合适的性能参数。

集极电流IC:

IC < 2 / 3 * ICM

ICM 集极最大允许电流

当 IC>ICM时，三极管β值减小，失去放大功能。

集极功率PW:

PW < 2 / 3 * PCM

PCM集极最大允许功率。

当PW > PCM 三极管将烧坏。

集-射反向电压UCE:

UCE < 2 / 3 * UBVCEO

UBVCEO基极开路时,集-射反向击穿电压

集/射极间电压UCE>UBVCEO时，三极管产生很大的集电极电流击穿,造成永久性损坏。

工作频率ƒ：

ƒ = 15% * ƒT

ƒT — 特征频率

随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1 时的频率ƒT叫作三极管的特征频率。

此外，还应考虑体积成本，优先选用贴片式三极管。