看了接近三遍的三极管，表示过了一段时间之后就忘了，忘了又得去重新看，应该也是自己没有深刻理解其工作原理导致最后浪费很多时间。

首先看一下三极管的图：

三极管的组成，我觉得再看三极管工作原理的时候，第一步必须清楚其结构，要不然，就不会引出后面的这么多性质。

三极管的基极是一层很薄（微米数量级）掺杂浓度比较低的N型半导体， 或者是P型半导体

三极管的发射极是一层掺杂浓度比较高的N/P型半导体，由于在工作过程中，其多数载流子会扩散至基区，但是基区在前面说了是很薄的，而且其只能中和一部分，形成Ibn电流，而大部分会在集电极与基区之间形成的电场下，漂移至集电极，这样就形成了Icn,

三极管的集电极之所以叫集电极就是因为其收集来自发射极的多数载流子，所以叫做集电极。

以上都是在发射极正偏和集电极反偏的情况下，才成立的，这样三极管就会工作在放大区域。

那么解释一下正偏和反偏，这两个概念是在学习PN节的时候引出的，那么PN结又是怎么样子形成的呢，好吧，这样子就必须知道P型半导体，和N型半导体。

P型半导体就是多数载流子是空穴，其为什么是空穴，是因为p型半导体是是在硅晶体内参入三价元素杂质，这样的话，由高中的知识就可以知道，三价元素杂质其到稳定状态是需要一个类似正离子的东西，这样子缺少了一个所谓的空穴，本来是一个电子才能够达到4个稳定状态的，结果少了一个电子，这个空出来的位置，就形成了空穴。

N型半导体就是多数载流子是电子

PN结的形成过程，当我们将P型半导体和N型半导体放在一起的时候，他们之间就会存在，扩散，和漂移运动，由高中知识可以知道扩散是因为浓度梯度参数的，那么P型半导体的多数载流子是空穴，而N型半导体则是电子，他们之间相互扩散，那么电子和空穴就会有一部分相互组合在一起，从而产生叫做PN节的东西，为什么这个扩散不一直进行呢，因为在这个过程中，P型半导体由于丢失了空穴而像显示负性，N型半导体由于丢失电子而显示正性，这样子就产生了电场，方向由N型半导体指向P型半导体，这样子电场就会抑制扩散运动，在这种情况之下，扩散运动和漂移运动达到了最后的动态平衡，PN节就这样产生了。

现在来看看正偏和反偏

我们再接触到PN结的时候就讲到了正偏和反偏，为什么会引出来这个，想着应该是我们刚才讲到了动态平衡，但是人们在设计PN结的时候是要将其应用于人类的生活各处的，要应用PN结就必须让其受控，了解其性质，应用它的每个性质，PN结在加上正偏电压的时候PN结会变窄，为什么会这样子，正偏是这样子接的，P区接正电极，而N区接负电极，这样子就会将原来的PN结自己的电场给抵消，那么PN结的中和部分就会消失，这样子就会易于导通，电阻会变小，这样子，如果完全消失，那么其就相当于一个导体，这样子就是三极管的正向导通，而且其有一个死区电压，这个死区电压就是为了，将其PN结自己的电场抵消，从而变成了像导体一样的东西。

反偏和正偏是刚好相反的，加的电压和正偏相反，这样子加宽了PN结，中间的中和部分变宽，这样子就变成了类似半导体的东西，其不容易到点，这样子最后就不导通了。

话题有点远了，回到三极管由于三极管的发射极源源不断的发送多数载流子，一部分在基区中和，而另外一部分扩散并漂移至集电极，这样子，形成了Ie = Ib+Ic, ，这只是一个忽略了很多其他小电流的最后等式，而且有趣的是，a * Ib = Ic, 也就是Ic与Ib存在a倍的关系。这样子就出现了，三极管作为信号的放大了，但是三极管其性能不稳定，最终还是需要一些其他的处理，从而后面就一直用运放来实现放大信号，但是运放主要部分都是三极管搭建起来的。

再看一下三极管的Vce对ib的影响，Vce的增大会导致集电结收集电子的能力增强，但是又产生了一个问题就是集电结电荷区变宽，发射结的多数载流子扩散至基区之后中和的数量变少，导致Ib变小。