前导
对比前面讲的三极管。
1.晶体三极管，双极性的，多子少子都参与导电，因为有少子参与，所以受温度影响比较大。而场效应管导电只有多子参与导电，所以受温度影响比较小。
2.三极管是电流IB控制IC，有电流IB的控制，控制端就有功率的损耗，整体上增加的了损耗。而场效应管管输入端的电阻非常大，基本没有电流所以省去了控制端功率的损耗。

场效应管
1.结型场效应管 JFET
2.绝缘栅型场效应管（主讲这个）1962年造出来的，又称MOSFET,简称MOS管，在这个基础上建出来了CMOS电路。

N沟道增强型MOS管

结构
g极下面是二氧化硅，N型半导体和P衬底之间的是PN结。
g 栅极（控制极） s源极（载流子源泉） d 漏极（载流子的漏出处）
对应三极管b e c理解
因为栅极和谁都绝缘，所以叫做绝缘栅。它爬在二氧化硅上

工作原理
提出问题：
源极的电子怎么跑到漏极？没有渠道是怎么跑过去的？电子透过PN结直接跑到P型半导体就死掉了，那源极电子是怎么跑到漏极的呢？
且看下图

衬底与s相连。与地连接在一起的地方叫做源极，如果有四个极，那么衬底就是没连，这个时候源极和漏极是可以互换的。但是一旦衬底与某一个连了，那么一般称相连的那个就是源极，考究其原因。
1)Uds=0的时候，s与衬底相连，Ugs>0的时候，图a，因为Ugs大于0，在电场力的作用下，将二氧化硅下面的空穴全部踢走了，下面成为了一个耗尽层，Ugs持续增大的时候，空穴踢跑自由电子吸上去了，就是图b，形成了一个沟道（反型层），自由电子形成的沟道，所以叫做N沟道。沟道宽度与Ugs电压有关，成正比，沟道的宽窄决定了ds两极之间的电阻的大小，ds之间就得到了一个可以用电压控制的可变电阻器。Ugs决定了Rds。
2.沟道形成得电压叫做Ugs(th)开启电压，沟道形成之后保持Ugs保持不变，此时想让ds之间有电流，就在ds两边加电压，如下图

看图a，随着Uds得逐渐增大，漏极慢慢变窄了，Id逐渐增大，此时的Id受Uds的控制，但是为什么会变窄呢，先看s极，s极一开始与衬底相连，两边点位相等，此时s极与漏极沟道两侧的电势差都是Ugs，当给d加电压Uds时，d的电势变成了Ud，所以此时d侧的沟道下方电位不再是s，变成了Ud，所以此时沟道右侧的电势差是Ug-Ud。
图b，d侧沟道慢慢闭合了，此时的Ugs-Uds=Ugs（th），此时叫做预夹断，不会真的夹断，动态平衡，因为夹断之后没电流了，没有电流就没有压降，此时沟道又会打开（这块不是很清晰，有待各位大神补充），此时Uds再增加，缝隙变长图c，Rds电阻变大，此时Id几乎不变了（恒流），因为增加的电压都去抵抗增加的Rds了，此时的Id只和Ugs的大小有关。此时Id的大小与Ugs之间的电压成比例。

N沟道耗尽型MOS管
和结型类似。
让上面一层二氧化硅里面带正电，天生有沟道。对比增强型。
Ugs（off），夹断电压。当Ugs>Ugs(off)，此时都有沟道。N型的Ugs（off）是负的很好理解。

结型场效应管

两个高浓度的P型半导体。

Ugs加反压，（PN结）耗尽层变宽，沟道变窄

图c加到夹断。Ugs（off）真夹断，不是预夹断。

这里的图c是预夹断，出现恒流区。
问题
1.Uds>0的时候为什么上面变窄了，类比绝缘栅型，因为上面的电势差变成了Ug-Ud，而下面的电势差还是Ug-Us。Ud>Us,所以上面反偏电压变大，而值变小Ug本就是负的，减去Ud之后更小了，所以耗尽层变宽，沟道变窄。
2.Ugs为什么要小于0，因为若是大于0PN结就导通了，就不存在耗尽层了。所以想要使用就必须使Ugs必须反偏也就是小于0。

结型不容易坏，绝缘栅型的那层二氧化硅很薄，那块相当于一个电容，容易打穿。

特性曲线
1.转移特性曲线
为什么使转移特性曲线，因为场效应管不同于三极管，没有输入特性曲线，输入端几乎没有电流，所以画Ugs与Id之间的曲线，叫做转移特性曲线。如下

图a，转移特性曲线，此时的Uds一定工作在横流区，因为此时的Id与Ugs是成比例的，如果工作在可变电阻区，Id的大小以Ugs和Uds之间都有关系。
IDO可以与Id得到一个方程。

上图b，输出特性曲线对比上面讲的就很好理解了。

这个是结型的输出特性曲线，为什么是结型？，因为没有Ugs>0的曲线，为什么有下限，因为在往下大的话可能会把PN结击穿。

结型的转移特性曲线，全部都在负向，反向电压越小，沟道越宽，Id越大，但不能超过0。

看图要达到都能分清楚的地步。

场效应管的参数
电子发烧友上的非常详细
1.直流参数
Ugs（th） 增强型
Ugs（off）结型或者耗尽型
Idss 耗尽型和结型
Rgs(dc)直流>10的九次方欧姆
2.交流参数
跨导（低频）gm=ΔiD/ΔUGS|UDS为常数，转移特性曲线某一点切线的斜率。对比二极管伏安特性曲线加交流信号的思路。
极间电容，pf级，高频电路要考虑
3.极限参数
①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，

②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制，

③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，

④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。

4.使用时主要关注的参数有：
1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。